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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
안영숙 (서울시립대학교 재료공학과) 송오성 (서울시립대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제2호
발행연도
2001.1
수록면
71 - 75 (5page)

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2001

니켈실리사이드 제조온도에 따른 측벽물질과의 반응안정성 연구
안영숙 ,  송오성 한국재료학회지 2001.01 학술저널

2000

니켈실리사이드 제조온도에 따른 측벽물질과의 반응안정성 연구
안영숙 ,  송오성 한국재료학회 학술발표대회 2000.01 학술대회자료

초록· 키워드

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The reaction stability of nickel with side-wall materials of SiO$_2$ and Si$_3$N$_4$ on p-type 4"(100) Si substrate were investigated. Ni on 1300 $\AA$ thick SiO$_2$ and 500 $\AA$ - thick Si$_3$N$_4$ were deposited. Then the samples were annealed at 400, 500, 750 and 100$0^{\circ}C$ for 30min, and the residual Ni layer was removed by a wet process. The interface reaction stability was probed by AES depth Profiling. No reaction was observed at the Ni/SiO$_2$ and Ni/Si$_3$N$_4$, interfaces at 400 and 50$0^{\circ}C$. At 75$0^{\circ}C$, no reaction occurred at Ni/SiO$_2$ interface, while $NiO_x$ and Si$_3$N$_4$ interdiffused at Ni/Si$_3$N$_4$ interface. At 100$0^{\circ}C$, Ni layers on SiO$_2$ and Si$_3$N$_4$ oxidized into $NiO_x$ and then $NiO_x$ interacted with side-wall materials. Once $NiO_x$ was formed, it was not removed in wet etching process and easily diffused into sidewall materials, which could lead to bridge effect of gate-source/drain.
#nickel silicide #side-wall material #reaction #Auger depth profiling #Si $_3$N $_4$ #SiO $_2$

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