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저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 제23권 제5호
발행연도
2006.5
수록면
59 - 67 (9page)

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Chemical Mechanical Polishing(CMP) in semiconductor production is characterized its output property by Removal Rate(RR) and Non-Uniformity(NU). Some previous works show that RR is determined by production of pressure and velocity and NU is also largely affected by velocity of flowfield during CMP. This study is about the direct measurement of velocity of slurry during CMP and whole flowfield upon the non-groove pad by Particle Image Velocimetry(PIV). Typical PIV system is modified adequately for inspecting CMP and slurry flowfield is measured by changing both pad rpm and carrier rpm. We performed measurement with giving some variation in the kinds of pad. The results show that the flowfield is majorly determined not by Carrier but by Pad in the case of non-groove pad.
#Chemical Mechanical Polishing(화학적 기계적 연마장치) #Particle Image Velocimetry(입자 이미지 측정법) #Flowfield of Slurry(슬러리 유동장) #Non-Uniformity of velocity(속도의 불균일성) #Velocity of slurry flow(슬러리 유동의 속도)

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험장치 및 방법
3. 실험 결과
4. 결론
후기
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