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한국가시화정보학회 한국가시화정보학회 학술발표대회 논문집 2004년도 한국가시화정보학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2004.11
수록면
48 - 51 (4page)

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Chemical Mechanical Polishing(CMP) is popularly used in production of semiconductor because of large area polishing ability probability of improvement for more integrated circuit. However, present CMP processing causes some non-uniformity errors which can be critical for highly integrated circuit. Previous studies predict that flow-field of slurry during CMP can create non-uniformity, but no quantitative measurement has conducted. In this study, using PIV, slurry velocity flow-field during CMP is measured by changing the ratio of RPM of pad and carrier with tuned PIV system adequate for small room in CMP machine and Cabot’s non-groove pad Epad-Al00. The result show that velocity of slurry is majorly determined by pad-rpm and the ratio of between carrier and pad rpm make some changes in streamlines.
#Chemical Mechanical Polishing(화학적 기계적 연마) #Particle Image Velocimetry(입자 이미지 유속계) #Flow-Field of Slurry(슬러리 연마 용액의 유동장) #Non-Uniformity(불균일성)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험 결과
4. 결론
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-505-016061486