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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제15권 제5호
발행연도
2005.10
수록면
287 - 291 (5page)

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새로운 저온 박막증착 공정인 원자층 증착방법으로 증착된 HfO₂ 박막을 게이트의 유전물질로 사용하여 MOSFET 소자를 제작하기 위하여 HfO₂ 박막의 특성을 개선하고 평가하였다. MOSFET 소자는 p-type (100) 실리콘 웨이퍼 위에 두께가 5~6 ㎚인 원자층 증착 HfO₂ 박막을 증착한 다음, 압력이 1~20 atm의 H₂ 가스로 열처리 하여 활성 영역이 5×10^(-5) ㎠이 되도록 알루미늄으로 전극을 증착하였다. 제작된 MOSFET 소자는 열처리 압력이 20 atm일 경우 5~10 % 정도 드레인 전류와 transconductance가 개선되었으며, 이것은 고집적화된 소자의 신뢰성 향상에 크게 기여할 것으로 생각된다.

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험 및 실험방법

Ⅲ. 실험결과 및 토의

Ⅳ. 결론

감사의 글

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Abstract

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