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- 2006.11
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- 75 - 79 (5page)
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There are typically applied on both rear and front sides of metal contacts to the solar cell. Metallization of front grid line is an important factor of solar cells. Accordingly, the front contact formation is particularly sensitive to many parameters. Metallization on Si solar cells requires forming a contact without penetrating the emitter too deeply, this is largely dependent on the glass frit used in the paste.
In this paper, the surface penetration of screen printed Ag paste contacts for silicon solar cells. It was found that penetration depth of Ag paste conductor depend on junction depth by diffusion process, as below 0.5㎛ on 1.0～1.2㎛ junction depth thought SEM-EDX analysis and conversion efficiency was 10.3% by solar simulator.
In this paper, the surface penetration of screen printed Ag paste contacts for silicon solar cells. It was found that penetration depth of Ag paste conductor depend on junction depth by diffusion process, as below 0.5㎛ on 1.0～1.2㎛ junction depth thought SEM-EDX analysis and conversion efficiency was 10.3% by solar simulator.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험 결과
4. 결론
5. 후기
6. 참고 문헌
참고문헌 (0)
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