지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
The PECVD SiNx:H films were made from the SiH₄-N₂ gas mixtures under such deposition conditions as 0.01 to 1.0 of SiH₄/N₂ volume ratio, 0.1 to 0.8W/㎠ of RF power, and 100 to 400℃ of substrate temperature.
The deposition rate, refractive index, hydrogen concentration, N/Si composition, optical gap and electric conductivity were measured, and the thermal stability and the optimum deposition conditions were investigated for the application of these films to the solar cell materials.
The deposition rate, refractive index, hydrogen concentration, N/Si composition, optical gap and electric conductivity were measured, and the thermal stability and the optimum deposition conditions were investigated for the application of these films to the solar cell materials.
목차
ABSTRACT
1. 序論
2. 薄膜의 成長과 特性測定
3. 成長條件이 薄膜特性에 미치는 影響
4. 熱的 安定性의 考察
5. 最適成長條件의 導出
6. 結論
REFERENCES
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
다결정 박막 트랜지스터 적용을 위한 SiNx 박막 연구
전기전자재료학회논문지
2003 .01
-
결정질 실리콘 태양전지를 위한 고주파 PECVD SiNx막 연구
반도체디스플레이기술학회지
2012 .01
-
PECVD SiNx 박막의 다결정 실리콘 태양전지에 미치는 영향
전기전자재료학회논문지
2005 .01
-
SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )
전자공학회논문지
1988 .05
-
박막 태양전지용 SiH₄ PECVD system의 수치 모델링
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2010 .05
-
결정질 실리콘 태양전지를 위한 실리콘 질화막의 특성
한국태양에너지학회 논문집
2013 .04
-
PECVD의 주파수 조건에 따른 $SiN_x$막 증착
반도체디스플레이기술학회지
2014 .01
-
유기전자소자 적용을 위한 저온 공정용 배리어 박막 연구
센서학회지
2019 .01
-
N$_2$ Plasma Treatment Effects of Silicon Nitride Insulator Layer for Thin Film Transistor Applications
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2002 .01
-
PECVD법에 의한 DLC 박막의 증착
한국표면공학회지
2002 .04
-
플라즈마 화학증착법으로 제조한 B-doped a-$Si_{1-X}$$C_X$:H 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막 태양전지에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
Fabrication of Metal-insulator-metal Capacitors with SiNx Thin Films Deposited by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
-
A Study on High Frequency-Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Silicon Nitride Films for Crystalline Silicon Solar Cells
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2011 .01
-
PECVD(Plasma enhanced chemical vapor deposition)방법에 의한 a-C:H 박막의 열처리에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
-
High Power, High Frequency PECVD 로 증착한 SiNx:H 반사방지막의 화학적 조성 및 광학적 특성 평가
한국재료학회 학술발표대회
2011 .01
-
PECVD 증착 조건에 따른 SiNx:H 반사방지막의 구조적 및 광학적 특성
한국재료학회 학술발표대회
2009 .01
-
SiH₄/H₂ 혼합기체를 Multistep 방식으로 증착한 수소화된 실리콘 박막의 특성 연구
전기학회논문지
2014 .02
-
ICP Source를 이용한 저온 증착 a-SiNx:H 특성 평가
전기전자재료학회논문지
2011 .01
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
고굴절률 PECVD SiNx 박막의 성장 및 그 표면특성 분석
추성중
,
정재욱
,
정의석
외 1명
한국진공학회 학술발표회초록집
2011
.02
PECVD를 이용한 SiO2 / Si3N4 박막의 특성 고찰 ( Characteristics of SiO2 / Si3N4 Films Using the PECVD Method Under Various Conditions )
김우진
,
임우택
,
김재영
외 3명
대한전자공학회 학술대회
1991
.11
PECVD를 이용하여 질소분위기에서 증착된 SiNx 박막의 특성 분석
공대영
,
박승만
,
이준신
한국진공학회 학술발표회초록집
2010
.02
SiNx의 Substrate temperature 와 gas ratio의 변화에 따른 특성
백경현
,
장경수
,
이원백
외 1명
한국진공학회 학술발표회초록집
2010
.08
200℃에서 PECVD로 증착한 실리콘질화막의 특징
이경수
,
김은겸
,
김경민
외 8명
한국진공학회 학술발표회초록집
2008
.08
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-563-018145341