PECVD SiNx 박막의 다결정 실리콘 태양전지에 미치는 영향

김정

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김정

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제7호

발행연도: 2005.1

수록면: 662 - 666 (5page)

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Silicon nitride (SiNx) film is a promising material for anti-reflection coating and passivation of multicrystalline silicon (mc-Si) solar cells. In this work, a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system with batch-type reactor tube was used to prepare highly robust SiNx films for screen-printed mc-Si solar cells. The Gas flow ratio, R=[SiH4]/[NH3], in a mixture of silane and ammonia was varied in the range of 0.0910.235 while maintaining the total flow rate of the process gases to 4,200 sccm. The refractive index of the SiNx film deposited with a gas flow ratio of 0.091 was measured to be 2.03 and increased to 2.37 as the gas flow ratio increased to 0.235. The highest efficiency of the cell was 14.99 % when the flow rate of SiH4 was 350 sccm (R=0.091). Generally, we observed that the efficiency of the mc-Si solar cell decreased with increasing R. From the analysis of the reflectance and the quantum efficiency of the cell, the decrease in the efficiency was shown to originate mainly from an increase in the surface reflectance for a high flow rate of SiH4 during the deposition of SiNx films.

#Solar cell #Passivation #Multicrystalline silicon

참고문헌 (9)

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/ 1978. / The hydro- gen content of plasma-deposited silicon nitride 49 (4) : 2473 ~

/ 1985. / Characterization of high-efficiency silicon solar cells 58 (11) : 4402 ~

/ 1995. / 실리콘 태양전지의 개발현황 8 (3) : 362 ~

/ 1997. / Over 17 % large area multicrystalline silicon solar cells : 384 ~

/ 1997. / Simple and efficient screen printing process for multicrystalline silicon solar cells based on firing-through silicon nitride : 792 ~

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