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학술저널
저자정보
김정환 (한국기술교육대학교 전기.전자.통신공학과) 노시철 (한국기술교육대학교 전기.전자.통신공학과) 최정호 (한국기술교육대학교 전기.전자.통신공학과) 정종대 (한국기술교육대학교 전기.전자.통신공학과) 서화일 (한국기술교육대학교 전기.전자.통신공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제11권 제2호
발행연도
2012.1
수록면
7 - 11 (5page)

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SiNx films have been wildly used as anti-reflection coatings and passivation for crystalline silicon solar cells. In this study, the SiNx films were deposited by using high frequency (13.56MHz) PECVD and optical & passivation properties were investigated. The RF power was changed in a certain range for the film deposition. Then, the refractive index, etch rate, minority carrier lifetime and cell efficiency were measured to study the properties of the film respectively. The optimal deposition conditions for application to crystalline silicon solar cells were proposed as results of the study. Finally, the best cell efficiency of 16.98% was obtained from the solar cell with the SiNx films deposited by RF power of 550W.
#High frequency PECVD #SiNx #Refractive index #Etch rate #Minority carrier lifetime

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Korea Institute of Energy Research / 2011 / PV research association workshop 2011 / KIER :1~122 google schola Korea Photovoltaic Industry Association / 2011 / PV World Forum 2011:1st Day-Conference Data Book / Infothe :9~188 google schola 김경해 / 2009 / 태양전지 실무 입문 / 두양사 :11~136 google schola E2-반도체장비인재양성센터 / 2011 / 고효율 결정질 실리콘 솔라셀 개발을 위한 Passivation 최적화 연구 / 한국기술교육대학교 :6~7 google schola H.F.W. Dekkers / 2006 / Requirements of PECVD SiNx:H layers for bulk passivation of mc-Si / J. of Solar Energy Materials & Solar Cells 90:3244~3250 google schola

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