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논문 기본 정보
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- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.2 No.5
- 발행연도
- 1997.10
- 수록면
- 108 - 113 (6page)
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In this paper, the optimum condition of (110) Si etching with the potassium hydroxide(KOH) etchant is presented. Although several researches on (110) Si anisotropic etching have been studied, there has been lack of effects of mask quality and etching conditions on the selectivity and the roughness on the etched surface. Three kinds of masks(film, emulsion and E-beam mask) were used in order to verify the effect of etching properties. Anisotropic bulk etching depends on the crystalline orientation and the concentration and temperature of the etchant. In order to investigate the effect of etching conditions on selectivity and the roughness of the etched surface, the concentration of the etchant was varied from 35 to 45 per cent in weight with increments by 5 per cent and the temperature was changed from 70 to 90℃ with increments by 10℃. The combination of the temperature of 70℃ and the concentration of 40 wt.% was found to be the optimum etching condition for high selectivity. Etched surfaces show minimum surface roughness at a temperature of 80℃ and a concentration of 40 wt. %. Comb structures with various comb widths were fabricated and the lengths of the combs were measured with several etching time durations. A micro comb structure 525㎛ high was fabricated for MEMS application.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Alignment Target and Etching Bath
Ⅲ. Fabrication of Comb Structures
Ⅳ. Dependency of Profile on Concentration and Temperature
Ⅴ. Conclusion
Acknowledgements
References
저자소개
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