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The continuing use of IC technology has in the past years created new possibilities in the development and manufacture of power semiconductor components. Originally developed for low-voltage applications, the SIPMOS transistor continually developed into a 'smart' version and has thus become a virtually ideal switch for use in automotive and industrial electronics circuits. With the IGBT, which is designed to handle high voltages and currents, an optimum tradeoff between MOSFETs and bipolar transistors has been achieved. In the following, advances in the development of power MOSFETs, SMART-FETs and IGBTs are examined and analyzed.
목차
Abstract
Introduction
Power MOSFET
SMART SIPMOS
TEMPFET
References
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