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전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 1989년 ISPE논문집
발행연도
1989.5
수록면
163 - 167 (5page)

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An integrated circuit and a new series of currrent sensing IGBT chips have been developed to meet the growing trend toward Power ICs. The new IC will directly drive and protect an n-channel current-sense type power MOSFET or IGBT under the direction of input. The IC is designed particularly for inverter circuit application where the power bridge is constituted by the above mentioned MOSPOWER devices of 10 to 50A and up to 600V class. This paper describes the details of the internal circuit design, the switching and protection performances of the new IC and the new IGBTs. The paper will also describe application and functionality of these devices in configuring typical inverter bridges on board or within modular housings where the IC is paired togetherwith the newly developed current-sense n-channel IGBT of 10 20A, 500V class.

목차

Abstract

Introduction

Device Description

Application

Other Bridge Applications

Conclusion

Acknowledgement

References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-560-014232662