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논문 기본 정보
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- 저널정보
- 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2009
- 발행연도
- 2009.7
- 수록면
- 665 - 668 (4page)
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In this paper, the novel 2.5KV IGBT incorporating an n-type MOSFET between adjacent cells is proposed with the aim of the improving the tradeoff relation between switching time and conduction loss. The incorporated MOSFET provides an additional base current that led to the increase of collector current of IGBT and the decrease of the on-state voltage drop. Also, the turn-off time and the static latch-up susceptibility are decreased because of the P+ region of the incorporated MOSFET, In the experimental result, with incorporating an n-type MOSFET, the turn-off time and on-state voltage drop are decreased by approximately 8% and 15% respectively, compared to a conventional IGBT. And the proposed IGBT provides higher latching current of 39% than conventional IGBT.
목차
Abstract
Introduction
The concept of proposed IGBT
Simulation result
Conclusion
Acknowledgement
References
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