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논문 기본 정보

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전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제4권 제2호
발행연도
1999.4
수록면
152 - 158 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1999

IGBT-MOSFET 병렬 스위치를 이용한 고효율 직류-직류 변환기
장동렬 ,  서영민 ,  홍정찬 외 2명 전력전자학회논문지 1999.04 학술저널

1998

IGBT-MOSFET 병렬 스위치를 이용한 고효율 직류-직류 변환기
장동렬 ,  서영민 ,  홍순찬 외 2명 전력전자학회 학술대회 논문집 1998.07 학술대회자료

초록· 키워드

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IGBT는 전압정격 및 전류특성이 높고 도통손실이 낮아서 스위칭 전원장치에 많이 쓰이고 있는 추세에 있다. 그러나 IGBT는 MOSFET에 비해 스위칭 특성이 좋지 않아서 스위칭 손실이 많이 발생하며 스위칭 주파수에도 제한을 받는다. 본 논문에서는 IGBT와 MPSFET의 장점을 살리기 위하여 IGBT에 MOSFET를 병렬로 IGBT-MOSFET 별렬 스위치를 사용한 24kW, 48V 출력의 고효율 반브리지 직류-직류 변환기를 제안한다. 병렬 스위치에서 주 스위칭 IGBT는 도통구간에서 주된 역할을 하며 MOSFET는 스위칭시에 주된 역할을 한다. 스위칭 손실을 분석하기 위하여 선형화 모델을 사용하였으며 시뮬레이션을 통하여 변환기의 동작을 확인 하였다.

목차

요약

ABSTRRACT

1.서론

2.변환기의 구성

3.변환기의 손실 및 동작 해석

4.손실 분석예

5.시뮬레이션

6.결론

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