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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.12
- 수록면
- 118 - 121 (4page)
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The inverter, which is composed of IGBT’s (Insulated Gate Bipolar Transistor’s) and transformer, etc., is being applied for a wide range of home appliances, industry automations, etc. due to its high efficiency, high reliability, accurate speed control, and small size. The IGBT combines the advantages of s power MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) and a bipolar power transistor. As the power of an inverter increases, the higher the reliability and power density are required especially in a power module and gate driver design. In this paper, the electrical characteristics including the power losses for variations of inductance are studied through simulations by P-SIM.
목차
Abstract
1. 서론
2. IGBT 전기적 특징
3. 시험 방법 및 시뮬레이션 결과
4. 결론
참고문헌
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2017-003-000682371