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전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 1989년 ISPE논문집
발행연도
1989.5
수록면
28 - 31 (4page)

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New approaches for high power IGBTs such as (1) self-aligned deep P-diffusl on, (2)Stripe gate source pattern, (3)Hole bypass structure, (4) Silicon wafer Direct Bonding technique and (5)Donble gate structure for lateral IGBTs are reviewed. All of these novel aporoaches make possible high power handling capability with high speed and ruggedness against SOA. These excellent IGBT feature satisfy Increasing demands for high frequency power conversion and power IC applications.

목차

ABSTRACT

1.Introduction

2.New Approaches for High Power IGBTs

3.Possibility as High Power Devices Large Chip design

4.Large SOA

5.IGBTs for Power Device Integration

6.Summary

References

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