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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.7
- 수록면
- 520 - 524 (5page)
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Recently, the demand of large capacity SMPS for industrial area is increasing. Full-bridge dc-dc converter with IGBT is most widely used for large capacity SMPS because IGBT has a low-conduction loss and large current capacity.
But most large capacity Full-bridge dc-dc converter using IGBT has low operating frequency because of switching loss at IGBT especially at turn-off by current tail and it's cause of relatively big converter size.
MOSFET has low switching losses has been widely used for high frequency SMPS but it has a problem to apply to large capacity SMPS because it has large conduction resistance causing large on-time losses.
In this paper, for reduction losses at switching device, MOSFET is applied at parallel with IGBT in full-bridge dc/dc converter.
But most large capacity Full-bridge dc-dc converter using IGBT has low operating frequency because of switching loss at IGBT especially at turn-off by current tail and it's cause of relatively big converter size.
MOSFET has low switching losses has been widely used for high frequency SMPS but it has a problem to apply to large capacity SMPS because it has large conduction resistance causing large on-time losses.
In this paper, for reduction losses at switching device, MOSFET is applied at parallel with IGBT in full-bridge dc/dc converter.
목차
ABSTRACT
1.서론
2.시스템 구성
3.Full-Bridge 컨버터의 모드별 해석
4.손실
5.시뮬레이션
6.결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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