선비정절화를 이용한 Shallow p+-n 접합 형성에 관한 연구 ( A Study on the Formation of Shallow p+-n Junctions Using Preamorphization )

한명석 ,  홍신남 ,  김형준

전자공학회논문지-A

1991 .09

As 선비정질화를 이용한 P⁺-N 접합의 특성 고찰

한명석 ,  김생환 ,  이창진 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1991 .05

비소 비정질화 방법에 의한 얕은 p+-n Junction by As-Preamorphization Method and Its Characterization )

권상직

전자공학회논문지-A

1993 .11

Characteristics of buried-channel pMOS devices with shallow counter-doped layers fabricated using channel preamorphization

삼택아보

대한전자공학회 워크샵

1997 .01

Fabrication of I²L by New Process and Its Chracteristics

Chul-Ei Han ,  Choong-Ki Kim

대한전기학회 학술대회 논문집

1979 .08

증착된 비정질 실리콘층을 통한 As- Preamorphization 방법으로 형성된 소오스 / 드레인을 갖는 deep submicron PMOSFET 의 제작 ( Fabrication of deep submicron PMOSFET with the source / drain formed by the Method of As - Preamorphization through the Predeposited Amorphous Si Layer )

권상직 ,  김영환 ,  신영화 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .06

저에너지 이온 주입 방법으로 형성된 박막 p+-n접합의 열처리 조건에 따른 특성

김재영 ,  이충근 ,  홍신남 외 2명

전자공학회논문지-SD

2004 .05

동시 접합 공정에 의한 자기정렬 코발트 실리사이드 및 얇은 접합 형성에 관한 연구 ( A Study on the Self-Aligned Cobalt Silicidation and Formation of a Shallow Junction by Concurrent Junction Process )

이석운 ,  민경익 ,  주승기

전자공학회논문지-A

1992 .02

6H-SiC P^(+)n 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 ( Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC p^(+)n Junction )

정용성

전자공학회논문지-SD

2001 .06

투과전자현미경을 이용한 $n^+$/p 접합에서 불순물의 이차원적 분포에 관한 연구

Pa ,  k ,  Chel-Jong 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

RTA 후 FA 공정을 포함한 P⁺-n 박막 접합 특성

한명석 ,  김재영 ,  이충근 외 1명

전자공학회논문지-SD

2002 .05

Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P⁺-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성

신철상 ,  엄우용 ,  장호정 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

이온주입 및 열처리 조건에 따른 박막접합의 특성 비교 ( Comparison of Shallow Junction Properties depending on Ion Implantation and Annealing Conditions )

홍신남 ,  김재영

전자공학회논문지-D

1998 .07

Electrical Characteristics of Titanium Silicided Shallow Junction

박지수 ,  손동균 ,  변정수 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

TAR REFORMING CHRACTERISTICS WITH PLASMA

Seon Ah ROH ,  Kwan Tae KIM ,  Dae Hoon LEE 외 3명

AFORE

2011 .11

Shallow S/D Junction에 적용 가능한 NiSi를 형성하기 위한 Ni-Pd 합금의 특성 연구

이원재 ,  오순영 ,  아그츠바야르 투야 외 9명

대한전자공학회 학술대회

2005 .11

커패시턴스 측정을 통한 부정형 접합을 갖는 pn 접합의 유효 접합 면적 및 반송자 수명의 추출

조성재 ,  김상완 ,  손영환 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

SIMS와 ARS 측정 결과에 따른 박막 접합 깊이 비교에 관한 연구 ( A Study on the estimate of shallow Junction Depth with SIMS and ASR measurement Results )

이병학 ,  홍신남

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

Characterization of Reverse Leakage Current of Shallow Silicide Junction

Hi Deok Lee ,  이상기 ,  Ha Joong Kim 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

n+ -p접합에서 위치함수인 유전율을 고려한 경우 접합깊이가 전하밀도에 미치는 영향 ( The Effect of Junction Depth on the Carge Density in n+ -p junction with Consideration of Position dependent Dielectric Constant )

김충원 ,  한백형

전자공학회논문지

1987 .03