이온주입시킨 Si-SiO2 계면에서의 전자상태 계산 ( Self-consistent Calculation of Electronic States at ion-implanted Si-SiO2 interface )

김충원 ,  공준진 ,  박성호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

비소이온주입에 의해 선 무정형화된 실리콘 속으로 이온주입된 붕소원자의 농도분포

박인순 ,  권상직 ,  신영화

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

이온주입에 의한 다결정 실리콘의 고유저항 모델링 ( The Resistivity Modeling of Ion Implanted Polycrystalline Silicon )

박종태 ,  이문기 ,  김봉렬

전자공학회논문지

1986 .05

Ar+ 이온 주입된 Silicon 기판의 깊은준위 특성 ( Electronic Properties of Deep Level Defects in Ar+ Implanted Silicon )

김광일 ,  권영규 ,  배영호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

고에너지 P 이온 주입한 실리콘에 형성된 격자 결함에 관한 고분해능 투과전자현미경 연구

장기완 ,  이정용 ,  조남훈 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

B⁺ 및 BF₂⁺가 이은 주입된 실리콘 웨이피의 annealing 효과

권상직 ,  권오준 ,  정호선

대한전자공학회 학술대회

1985 .06

이온 주입 기술 현황

김종국 ,  이구현 ,  이상로

기계와 재료

2001 .01

Ellipsometry방법에 의한 이온 주입 단결정 실리콘의 비정질층 두께 측정 연구 ( Evaluation of the Amorphous Layer Thickness in Implanted Silicon by Ellipsometry )

이원형 ,  김상기 ,  조경익 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

Ar+ 이론 주입된 Silicon 기판의 깊은준위 특성

김광일 ,  권영규 ,  배영호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서 이온주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산 ( Monte Carlo Calculation of particle and Point Defect Distributions for Ion-Implanted Dopant in Crystalline Silicon )

손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서의 이온 주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산

손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

실리콘 웨이퍼의 이온주입각 변화에 의한 이온반사율에 관한 연구

姜龍哲 ,  李愚宣 ,  朴榮俊

전기학회논문지

1991 .06

제어 반전 소자의 제조 및 그 특성 ( Fabrication and Characteristics of the Controlled Inversion Devices )

김진섭 ,  이우일

전자공학회지

1983 .01

전기로를 이용한 이온주입 실리콘의 재결정화 및 활성화

가순식 ,  유화숙 ,  김영철 외 4명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2006 .01

A Study of Crystalline Behaviour on $\textrm{As}^{+}$ Ion-Implanted Silicon

문영희 ,  송영민 ,  김종오

한국재료학회지

1999 .01

MeV 이온주입된 실리콘의 열처리시 불순물과 이차결함간의 상호작용

장윤택 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

SIMS를 이용한 BF⁺₂ 이온주입된 실리콘에서의 불순물 재분포에 대한 연구

이대훈 ,  손용선 ,  이순영 외 2명

대한전자공학회 워크샵

1988 .04

급속 열처리 ( RTA ) 에 의한 실리콘 이온주입 갈륨 비소의 활성화 특성에 관한 연구 ( A study on the activation characteristics of silicon ion implanted GaAs by RTA )

심규환 ,  편광의 ,  박형무 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

Physical Understanding of Low Field Carrier Mobility in Silicon MOSFET Inversion Layer

이귀로 ,  최주선 ,  심상필 외 1명

대한전자공학회 워크샵

1990 .01

B+ 및 BF2+ 가 이온 주입된 실리콘 웨이퍼의 Annealing 효과 ( Annealing Effect ofr the B+- and BF2+- Implanted Silicon Wafers )

권상직 ,  권오준 ,  정호선

대한전자공학회 학술대회

1985 .01