Characteristics of 0.1μm nMOSFETs with Different Channel Doping and Gate Oxide Thickness

Young Jin Choi

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1996 .01

Metal Plasma-Etching Damages of NMOSFETs with Pure and N₂O Gate Oxides

Jae-Seog Yoon ,  Chang-Wu Hu

한국정보통신학회논문지

1999 .06

Performance Enhancement of 0.1nm nMOSFETs by Adjusting Channel Doping and Gate Oxide Thickness

최영진 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

RTO 성장과 0.15mm NMOSFET에의 적용 ( Application of Ultra-Thin Rapid Thermal Oxide to 0.15mm NMOSFET )

허연철 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

두께 변화에 따른 Gate Oxide의 전기적 특성

박정구 ,  홍능표 ,  이용우 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

NMOSFET SOI 소자에서 부분적 게이트 산화막 두께 변화에 의한 돌연 전류 효과 고찰

한명석 ,  이충근 ,  홍신남

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

NMOSFET SOI 소자에서 부분적 게이트 산화막 두께 변화에 의한 돌연 전류 효과 고찰 ( A Study on the Current Kink Effect in NMOSFET SOI Device with the Varying Gate Oxide Thickness )

한명석 ,  이충근 ,  홍신남

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

Ti-Ploycide 게이트에서 게이트산화막의 전연파괴특성

고종우 ,  고종우 ,  고종우 외 3명

한국재료학회지

1993 .01

0.15μm Gate Length nMOSFETs with Indium Implanted Channel

Ki Whan Song

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1996 .01

산화전 분위기가 Gate Oxide 특성에 미치는 영향

주문식 ,  엄금용 ,  박미라 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

긴 채널 NMOSFET에 대한 통합 전류-전압 ( A Unified Current-Voltage Model for Long Channel NMOSFET's )

박찬광 ,  이창열 ,  이귀로 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

δ - 도핑 NMOSFET 채널 내에서의 양자화 효과

문현기 ,  김현중 ,  이찬호

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

The reliability analysis in gate oxide of MOSFET via percolation models

Mansoo Kim ,  Suk joo Bae

대한산업공학회 추계학술대회 논문집

2008 .11

ELECTRON TRAPPING AND DETRAPPING BEHAVIORS OF THIN THERMALLY NITRIDED OXIDES

Y. C. Cheng ,  H. Wong ,  H. B. Lo 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

Fluorine Effects on NMOS Characteristics and DRAM Refresh

Deuk-Sung Choi

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2012 .03

Gate Oxide Thickness Dependence of Hot Carrier Degradation in n- and p-MOSFET's with NO-nitrided Gate Oxide under DC and AC Stresses

金正圭

전기학회논문지

1998 .03

Dielectric Degradation and Breakdown of High-k/Metal Gate Stack nMOSFETs

Do-Young Choi ,  Chang Woo Sohn ,  Hyun Chul Sagong 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2012 .06

게이트 레이아웃을 이용한70㎚ nMOSFET 초고주파 성능 최적화

홍승호 ,  박민상 ,  정성우 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2006 .06

NMOSFET에서 핫-캐리어 내성의 소자 개발

김현호 ,  김현기 ,  우경환 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2002 .06