0.1㎛ 레벨 NMOSFET의 Hot Carrier현상과 소자 열화 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of 0.1㎛ NMOSFET )

이재기 ,  홍성희

한국통신학회 전문대학 논문지

1997 .01

온도 증가에 따른 nMOSFET의 Hot carrier effect 변화

원명규 ,  김도형 ,  안철

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

온도 증가에 따른 nMOSFET의 Hot carrier effect 변화 ( Hot carrier effect of nMOSFET's at elevated temperatures )

원명규 ,  김도형 ,  안철

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

소자 분야 - Hot carrier에 의한 RF NMOSFET의 성능저하에 관한 연구

김동욱 ,  유종근 ,  유현규 외 1명

전자공학회논문지-D

1998 .10

A Study on the Hot Carrier Induced High Frequency Performance Degradation in NMOSFET`s

김동욱 ,  김천수 ,  유현규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Hot Carrier Burn-In을 사용한 NMOSFET Lifetime 향상 ( Improvement of NMOSFET Lifetime Using Hot Carrier Burn-In )

이상기 ,  황현상 ,  이동훈 외 3명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

LDD-nMOSFET의 핫 캐리어 열화 억제를 위한 표면 이온주입 효과에 대한 연구

서용진 ,  안태현 ,  김상용 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .11

긴 채널 NMOSFET에 대한 통합 전류-전압 ( A Unified Current-Voltage Model for Long Channel NMOSFET's )

박찬광 ,  이창열 ,  이귀로 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

δ - 도핑 NMOSFET 채널 내에서의 양자화 효과

문현기 ,  김현중 ,  이찬호

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

Hot Electron에 의한 NMOSFET의 드레인 출력저항 특성 ( The Characteristics of NMOSFET Drain Output Resistance Due to Hot Electron )

김미란 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

Hot carrier 효과에 의한 단채널 금속 게이트/High-k 절연막 nMOSFET의 고주파 특성 열화

사공현철 ,  이경택 ,  최길복 외 7명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

LDD NMOSFET에서 Hot Carrier 열화시 Device Lifetime에 관한 연구

고정욱 ,  김재영 ,  강문상 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

Hot-Carrier Degradation Characteristics in Body-Contacted SOI nMOSFETs

Ji Woon Yang ,  Jong Wook Lee ,  Won Chang Lee 외 3명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

고전압 및 저전압 NMOSFET 소자의 Hot Carrier 열화 특성

박병석 ,  나민기 ,  한인식 외 7명

대한전자공학회 학술대회

2008 .11

RTO 성장과 0.15mm NMOSFET에의 적용 ( Application of Ultra-Thin Rapid Thermal Oxide to 0.15mm NMOSFET )

허연철 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

서브마이크론 LDD NMOSFET의 핫캐리어 열화에 의한 유효채널길이의 증가

이준표 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

서브마이크론 LDD NMOSFET의 핫캐리어 열화에 의한 유효채널길이의 증가 ( The Increase of the Effective Channel Length by the Hot-Carrier Degradation in Submicron LDD NMOSFETs )

이준표 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

인듐을 채널 도펀트로 사용한 0.1μm nMOSFET에 관한 연구 ( A Study on 0.1μm nMOSFETs with Indium Implanted Channel )

송기환 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

인듐을 채널 도펀트로 사용한 0.1㎛ nMOSFET에 관한 연구

송기환 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

Hydrodynamic 방정식을 이용한 짧은 채널 Nmosfet의 풀이 방법 ( A Numerical Simulation on the Short Channel nMOSFET using Hydrodynamic Equations )

이창열 ,  이귀로

대한전자공학회 학술대회

1991 .01