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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 551 - 552 (2page)
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In this paper, we investigate three different types of multifingered layout nMOSFET devices with varying W<SUB>f</SUB>(unit finger width) and N<SUB>f</SUB>(number of finger). Using layout modification, we improve f<SUB>T</SUB>(current gain cutoff frequency) value of 15㎓ without scaling down, and moreover, we decrease NF<SUB>min</SUB>(minimum noise figure) by 0.23㏈ at 5㎓. The RF noise can be reduced by increasing f<SUB>T</SUB> ... 전체 초록 보기
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