Characteristics of 0.1μm nMOSFETs with Different Channel Doping and Gate Oxide Thickness

Young Jin Choi

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1996 .01

NMOSFET SOI 소자에서 부분적 게이트 산화막 두께 변화에 의한 돌연 전류 효과 고찰

한명석 ,  이충근 ,  홍신남

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

NMOSFET SOI 소자에서 부분적 게이트 산화막 두께 변화에 의한 돌연 전류 효과 고찰 ( A Study on the Current Kink Effect in NMOSFET SOI Device with the Varying Gate Oxide Thickness )

한명석 ,  이충근 ,  홍신남

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

긴 채널 NMOSFET에 대한 통합 전류-전압 ( A Unified Current-Voltage Model for Long Channel NMOSFET's )

박찬광 ,  이창열 ,  이귀로 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

RTO 성장과 0.15mm NMOSFET에의 적용 ( Application of Ultra-Thin Rapid Thermal Oxide to 0.15mm NMOSFET )

허연철 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

δ - 도핑 NMOSFET 채널 내에서의 양자화 효과

문현기 ,  김현중 ,  이찬호

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

Hot carrier 효과에 의한 단채널 금속 게이트/High-k 절연막 nMOSFET의 고주파 특성 열화

사공현철 ,  이경택 ,  최길복 외 7명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

NMOSFET에서 핫-캐리어 내성의 소자 개발

김현호 ,  김현기 ,  우경환 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2002 .06

Dielectric Degradation and Breakdown of High-k/Metal Gate Stack nMOSFETs

Do-Young Choi ,  Chang Woo Sohn ,  Hyun Chul Sagong 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2012 .06

인듐을 채널 도펀트로 사용한 0.1μm nMOSFET에 관한 연구 ( A Study on 0.1μm nMOSFETs with Indium Implanted Channel )

송기환 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

인듐을 채널 도펀트로 사용한 0.1㎛ nMOSFET에 관한 연구

송기환 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

Hydrodynamic 방정식을 이용한 짧은 채널 Nmosfet의 풀이 방법 ( A Numerical Simulation on the Short Channel nMOSFET using Hydrodynamic Equations )

이창열 ,  이귀로

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

온도 증가에 따른 nMOSFET의 Hot carrier effect 변화 ( Hot carrier effect of nMOSFET's at elevated temperatures )

원명규 ,  김도형 ,  안철

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

온도 증가에 따른 nMOSFET의 Hot carrier effect 변화

원명규 ,  김도형 ,  안철

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

NMOSFET의 반전층 양자 효과에 관한 연구

朴志宣 ,  申炯淳

전기학회논문지 C

2002 .09

Performance Enhancement of 0.1nm nMOSFETs by Adjusting Channel Doping and Gate Oxide Thickness

최영진 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

비대칭 소오스/드레인을 갖는 NMOSFET의 전기적 특성

공동욱 ,  이재성 ,  이용현

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

비대칭 소오스 / 드레인을 갖는 NMOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of NMOSFET's with Asymmetric Source / Drain Region )

공동욱 ,  이재성 ,  이용현

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

0.15μm Gate Length nMOSFETs with Indium Implanted Channel

Ki Whan Song

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1996 .01

Reliability Characteristics of La-doped High-k/Metal Gate nMOSFETs

C. Y. Kang ,  R. Choi ,  B. H. Lee 외 1명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2009 .09