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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Yeheon Park (Samsung Electronics) Kyeonghun Choe (SK Hynix) Sanggeun Jeon (Korea University)
저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.25 No.2
발행연도
2025.3
수록면
154 - 159 (6page)

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This paper presents a CMOS low-noise amplifier (LNA) for wideband applications that require high linearity. A frequency staggering technique is employed to achieve a flat gain response over a wide frequency band. In the first stage, the LNA uses a common-source topology with resistive feedback to achieve wideband input matching, while inductive series peaking is adopted at the output to attain gain peaking at a high frequency. In the second stage, an inductive load with high inductance is employed to ensure low-frequency gain and high linearity. Furthermore, the bias condition of the transistors is optimized by considering the trade-off between linearity and DC power consumption. The proposed LNA achieved a measured peak gain of 10.5 dB at 18 GHz and a wide 3-dB bandwidth ranging from 6.1 to 41.5 GHz. The third-order intercept point exceeded 1.3 dBm, and the input matching remained below -8 dB over the entire 3-dB bandwidth. Furthermore, the noise figure ranged from 4.7 to 7.3 dB up to 26.5 GHz.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DESIGN OF WIDEBAND AND HIGHLY LINEAR LNA
Ⅲ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

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