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이용수
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DESIGN OF WIDEBAND AND HIGHLY LINEAR LNA
Ⅲ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES
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1-13GHz Wideband LNA utilizing a Transformer as a Compact Inter-stage Network in 65nm CMOS
IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems
2017 .04
잡음 제거 기법과 감소 기법을 활용한 인버터 기반 광대역(4.92GHz – 25GHz) LNA 설계
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2023 .06
A Transformer Feedback CMOS LNA for UWB Application
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2016 .12
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JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .04
E‐band low‐noise amplifier MMIC with impedance‐controllable filter using SiGe 130‐nm BiCMOS technology
[ETRI] ETRI Journal
2020 .10
Q-Band 광대역 저잡음 증폭기 설계
한국전자파학회논문지
2023 .03
A Wideband Inductorless LNA for Inter-band and Intra-band Carrier Aggregation in LTE-Advanced and 5G
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2019 .09
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[ETRI] ETRI Journal
2020 .08
65-nm CMOS 공정을 이용한 V-Band 차동 저잡음 증폭기 설계
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2017 .10
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2018 .05
Characterization of a CMOS 135-GHz Low Noise Amplifier with Two Different Noise Measurement Methods
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2018 .08
A Concurrent Dual-band CMOS Partial Feedback LNA with Noise and Input Impedance Matching Optimization for Advanced WLAN Applications
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2021 .10
A UHF CMOS Variable Gain LNA with Wideband Input Impedance Matching and GSM Interoperability
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2017 .08
선형성이 향상된 GHz 대역 저잡음증폭기
한국정보통신학회 종합학술대회 논문집
2019 .10
A CMOS Dual-mode High-dynamic-range Wideband Receiver RF Front-end
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2018 .10
높은 선형성을 갖는 새로운 구조의 MMIC 저잡음 증폭기
한국전자파학회논문지
2016 .02
28-nm FD SOI CMOS 공정을 이용한 140 GHz 저잡음 증폭기 설계
한국전자파학회논문지
2020 .04
65 nm CMOS 공정을 이용한 저면적 30~46 GHz 광대역 증폭기
한국전자파학회논문지
2018 .05
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