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저자정보
Changchun Zhang (Nanjing University of Posts and Telecommunications) Yingjian Wu (Nanjing University of Posts and Telecommunications) Peng Zhang (Nanjing University of Posts and Telecommunications) Ying Zhang (Nanjing University of Posts and Telecommunications) Jie Liu (Institute of Beijing Electro-Mechanical Engineering) Sung Min Park (Ewha Womans University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.5
발행연도
2018.10
수록면
616 - 625 (10page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.5.616

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A dual-mode wideband high-dynamic-range receiver RF front-end consisting mainly of a low-noise amplifier (LNA) and a mixer is presented and implemented in standard 0.18 μm CMOS technology. Besides wideband input matching, the wideband LNA is optimized purposefully for low NF and high gain, and the mixer for high linearity and proper gain. In high-gain (HG) mode, with the LNA involved, the high sensitivity can be achieved; in low-gain (LG) mode, with the LNA bypassed, the mixer stands out and makes the front-end exhibit high linearity. In an overall view, the proposed dual-mode wideband RF front-end achieves a high dynamic range. With an occupied die area of 2360 μm× 1460 μm and a single supply voltage of 1.8V, measurement results show the dual-mode RF frontend can operate across the desired frequency range of 1.3 ~ 2 GHz and achieve gain of 20 dB and NF of 4.8dB in the HG mode, and average IIP3 of 8 dBm and P1dB of -4 dB in the LG mode, respectively.
#RF front-end #LNA #mixer #wideband #dynamic range

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. RECEIVER ARCHITECTURE
III. CIRCUIT DESIGN AND ANALYSIS
IV. MEASUREMENT RESULTS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
B. Van Liempd, et al, “A 0.9 V 0.4-6 GHz harmonic recombination SDR receiver in 28 nm CMOS with HR3/HR5 and IIP2 calibration,” Solid- State Circuits, IEEE Journal of, Vol. 49, No. 8, pp. 1815-1826, Aug., 2014. A. Mirzaei, H. Darabi, A. Yazdi, Z. Zhou, E. Chang, and P. Suri, “65 nm CMOS quad-band SAW-less receiver SoC for GSM/GPRS/EDGE,” Solid-State Circuits, IEEE Journal of, Vol. 46, No. 4, pp. 950-964, Apr., 2011. E. A. Sobhy, A. A. Helmy, S. Hoyos, K. Entesari, and E. Sanchez-Sinecio, “A 2.8-mW sub-2-dB noise-figure inductorless wideband CMOS LNA employing multiple feedback,” Theory and Techniques, IEEE Transactions on, Vol. 59, No. 12, pp. 3154-3161, Dec., 2011. W. Chen, G. Liu, B. Zdravko, and A. M. Niknejad, “A highly linear broadband CMOS LNA employing noise and distortion cancellation,” Solid-State Circuits, IEEE Journal of, Vol. 43, No. 5, pp. 1164-1176, May., 2008. R. Gharpurey, “A broadband low-noise front-end amplifier for ultra wideband in 0.13μm CMOS,” Solid-State Circuits, IEEE Journal of, Vol. 40, No. 9, pp. 1983-1986, Sept., 2005.

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