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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.4
- 수록면
- 398 - 401 (4page)
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본 논문은 28-nm CMOS FD SOI 공정을 이용해 D-band 저잡음 증폭기를 설계한 결과를 제시한다. 설계한 저잡음 증폭기는 3단 차동 공통소스 구조를 가지며, 트랜스포머를 사용해 각 단 및 입출력 임피던스 정합 회로를 구성하였다. 제작한 저잡음 증폭기는 139 GHz에서 최대이득 15.17 dB을 보이며, 3-dB 대역폭은 11 GHz이다. 제작한 칩의 면적은 패드를 포함해 0.255 ㎟이며, 1.0 V 공급 전원에서 27 mW의 전력을 소비한다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계
Ⅲ. 측정 및 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
A. Visweswaran / 2019 / 9.4A 145 GHz FMCWradar transceiver in 28 nm CMOS / 2019 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) :168~170
J. Elkind / 2016 / A 154~165 GHz LNA and receiver in CMOS 65 nm technology / 2016 11th European Microwave Integrated Circuits Conference(EuMIC) :393~396
H. Asada / 2011 / A 60 GHz CMOS power amplifier using capacitive cross-coupling neutralization with 16% PAE / 2011 41st European Microwave Conference :1115~1118
J. R. Long / 2000 / Monolithic transformers for silicon RF IC design / IEEE Journal of Solid-State Circuits 35(9):1368~1382
C. J. Lee / 2017 / A CMOS D-band low noise amplifier with 22.4 dB gain and a 3 dB bandwidth of 16GHz for wireless chip to chip communication / 2017PIERS
J. Elkind / 2016 / A 154~165 GHz LNA and receiver in CMOS 65 nm technology / 2016 11th European Microwave Integrated Circuits Conference(EuMIC) :393~396
H. Asada / 2011 / A 60 GHz CMOS power amplifier using capacitive cross-coupling neutralization with 16% PAE / 2011 41st European Microwave Conference :1115~1118
J. R. Long / 2000 / Monolithic transformers for silicon RF IC design / IEEE Journal of Solid-State Circuits 35(9):1368~1382
C. J. Lee / 2017 / A CMOS D-band low noise amplifier with 22.4 dB gain and a 3 dB bandwidth of 16GHz for wireless chip to chip communication / 2017PIERS
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