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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.2
- 수록면
- 220 - 223 (4page)
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본 논문에서는 캐스코드(cascode) 구조에 트랜지스터를 추가하여 잡음 특성을 유지하면서 높은 선형성을 갖는 저잡음 증폭기 구조를 제안하고 설계하였다. 제안한 구조는 트랜지스터의 사이즈 최적화를 통해 잡음원을 최소화 했으며, 전류원분리(current bleeding) 효과를 주어 선형성을 개선하였다. 저잡음 특성에 유리한 0.5 μm pHEMT 공정을 이용해 제작된 저잡음 증폭기는 1.8～2.6 GHz의 동작 대역에서 30.8 dBm의 OIP3, 15.0 dB의 이득, 1.1 dB의 NF, 11.6 dB/10.4 dB의 입출력반사 손실 특성을 보였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 저잡음 증폭기의 설계 및 측정
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
B. Kim, J. Ko, and K. Lee, "A new linearization technique for MOSFET RF amplifier using multiple gated transistor", IEEE Microwave Guided Wave Lett., vol. 10, no. 9, pp. 371-373, 2000.
Jingshi Yao, Xiaopeng Sun, and B. Line, "Ultra lownoise highly linear integrated 1.5 to 2.7 GHz LNA", IEEE Intern. Wireless Symp. pp. 1-4, 2014.
T. K. Nguyen, Y. M. Su, and S. G. Lee, "A power constrained simultaneous noise and input matched low noise amplifier design technique", in Proc Intern. Symp. on Circuits and Systems, vol. 4, pp. 23-26, May 2004.
B. Prameela, K. P. Jagadeesh, "Design of a MESFET based low noise amplifier with improved noise figure for low power wireless applications in 2～3 GHz", IEEE Intern Conf. on Advances in Computing and Communications. pp. 257-260, 2013.
A. Fazal, H. Craig, and P. Allen "A novel cascode feedback GaAs MMIC LNA with transformer-coupled output using multiple fabrication processes", IEEE Microwave Guided Wave Lett. vol. 2, no. 2, pp. 70-72, Feb. 1992.
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