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InAs/GaAsSb submonolayer 양자점 (SML-QD)의 광학적인 특성을 여기광 세기 (Iex)와 온도에 따른 광발광 (Photoluminescence; PL) 실험을 통하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 시료는 간격자인 GaAsSb 층의 Sb조성을 0%와 15.8%로 조절하여 Type-I (T-1) 과 Type-II (T-2) 밴드 구조의 SML-QD를 성장하였다. 13 K에서 Iex 가 8.3 mW/cm² 일 때 T-1과 T-2 시료의 PL신호는 각각 1.419 eV와 1.368 eV에서 관측되었다. T-1 시료에서 관측된 전이신호는 InAs SML-QD의 전자와 정공간의 재결합에 의한 것이다. T-2시료에서 관측된 PL신호는 GaAs와 GaAsSb 사이에 형성된 type-II 밴드 정렬에 의하여 GaAs 전도대의 전자와 GaAsSb 간격자의 가전자대의 정공간의 재결합에 의한 것이다. 두 신호의 반값 온폭 (Full-width at half maximum; FWHM)은 각각 7.09 meV와 24.6 meV 이었으며, 이는 T-2시료가 T-1시료보다 균일성이 낮기 때문으로 사료된다. 여기광의 세기가 증가할수록 T-1와 T-2시료의 PL신호는 낮은 에너지 쪽으로 이동하였는데, 이는 구속된 운반자에 의한 양자 구속 스타크 효과 (quantum-confined Stark effect) 에 의한 것으로 사료된다. 온도 의존성 PL 실험의 결과, T-1 시료의 SML-QD의 활성화 에너지는 30 meV이었다.
목차
I. 서론
II. 실험
III. 실험결과
IV. 결론
REFERENCES
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