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본 연구에서는 에피텍셜 리프트 오프 (Epitaxial lift-off; ELO) 공정이 적용된 GaAs 태양전지의 특성을 광발광 (photoluminescence; PL) 과 전류밀도-전압 (J-V) 측정으로 조사하였다. 성장된 GaAs 태양전지 시료 (As grown) 를 Au/polyimide (ELO-layer/Au; ELA) 및 polydimethylsiloxane (PDMS)/glass (ELO-layer/PDMS; ELP) 기판들 위에 전사하였다. 300 K에서 ELA와 ELP시료들은 GaAs 띠 간 전이 에너지 (1.425 eV) 보다 낮은 에너지에서 As-grown 시료와 비교하여 결함에 의한 PL 신호가 상대적으로 강하게 관측되었다. 이 때 결함에 의한 PL 신호들은 다수의 봉우리를 갖는 신호로 관측되었으며, 이는 내부 다중 반사 (internal multi-reflection IMR) 에 의한 간섭 효과 때문이었다. ELA 시료의 경우에는 GaAs/Au 계면에 의한 반사 효과로 인하여 GaAs 띠 간 전이와 결함에 의한 PL 신호의 세기가 As-grown 보다 증가하였다. 1 sun 에서 J-V 측정결과 ELA시료는 GaAs ref 시료보다 단락전류와 태양전지 효율이 각각 2.13 mA/cm², 1.7% 저하되었다. 이는 광 생성 운반자가 ELO 공정 중에 발생하는 결함에 의해 포획되기 때문이다.
목차
I. 서론
II. 실험
III. 결과
IV. 결론
REFERENCES
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