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저자정보
박진용 (동의대학교) 김정희 (동의대학교) 김우연 (동의대학교) 박미선 (동의대학교) 장연숙 (동의대학교) 정은진 (주식회사 케이엑스티) 강진기 ((주)악셀) 이원재 (동의대학교)
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제30권 제5호
발행연도
2020.1
수록면
163 - 167 (5page)

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본 연구에서는 PVT(Physical Vapor Transport) 방법을 이용하여 반도체 식각 공정용 소재로 사용되는 링 모양의SiC(Silicon carbide) 다결정을 제조하였다. 흑연 도가니 내부에 원기둥 모양의 흑연 구조물을 배치하여 PVT법에 의한 링 모양의 SiC 다결정을 성장시켰다. 성장된 결정은 Raman 및 UVF(Ultra Violet Fluorescence) 분석을 이용하여 결정의 상분석을하였고, SEM(Scanning Electron Microscope), EDS(Energy Dispersive Spectroscopy) 분석을 통해 미세조직 및 성분을 확인하였다. PVT 성장 초기의 온도변화를 통하여 SiC 다결정의 결정립 크기와 성장 속도를 조절할 수 있었다.
#Silicon carbide #Polycrystal #Ring #PVT #Growth rate

목차

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참고문헌 (11)

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장미란 / 2012 / Plasma Resistance and Etch Mechanism of High Purity SiC under Fluorocarbon Plasma / 한국세라믹학회지 49(4):328~332 Crossref T. E. F. M. Standaert / 2003 / Role of fluorocarbon film formation in the etching of silicon, silicon dioxide, silicon nitride, and amorphous hydrogenated silicon carbide / J. Vac. Sci. Technol A 22:53 google schola M. Schaepkens / 1998 / Study of the SiO2-to-Si3N4etch selectivity mechanism in inductively coupled fluorocarbon plasmas and a comparison with the SiO2-to-Si mechanism / J. Vac. Sci. Technol A 17:26 google schola J. S. Goela / 1996 / Chemical vapor deposited SiC for high heat flux applications / Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng 2855:2 google schola J. S. Goela / 2001 / CVD-SiC for RTP chamber components / IEEE Xplore :217 google schola

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