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저자정보
최병균 (전남대학교) 강성준 (전남대학교) 정양희 (전남대학교 교수)
저널정보
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 한국전자통신학회 논문지 제19권 제1호
발행연도
2024.2
수록면
39 - 46 (6page)

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본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 공정압력을 1에서 7mTorr로 변화시켜 가며 GTZO (Ga-Ti-Zn-O)박막을 제작하여, 구조적 특성과 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. XRD측정을 통해 공정압력에 무관하게 모든 GTZO박막이 c-축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었고, 1mTorr에서 제작한 GTZO 박막이 반가폭 0.38° 로 가장 우수한 결정성을 나타내었다. 가시광 영역(400∼800nm)에서의 평균 투과도는 공정압력에 상관없이 80%이상의 값을 나타내었고, 공정압력이 증가함에 따라 캐리어 농도가 감소하고 이로 인해 에너지 밴드갭이 좁아지는 Burstein-Moss 효과도 관찰할 수 있었다. 공정압력 1mTorr에서 증착한 GTZO박막의 재료 평가 지수는 9.08×103Ω-1·cm-1로 가장 우수한 값을 나타내었고 이때 비저항과 가시광 영역에서의 평균 투과도는 각각 5.12×10-4Ω·cm 과 80.64% 이었다.

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