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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 89 - 93 (5page)
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For various process pressures, aluminum doped zinc oxide(AZO) films were deposited by in-line pulsed-DC sputtering. The deposited AZO films were optically and electrically investigated and analyzed for the window layers of CIGS solar cell systems. As the pressure was increased from 9 mtorr to 15 mtorr, the thickness of AZO was decreased as a result of scattering and its sheet resistance was rapidly increased. The transmittance of AZO was slightly decreased as the pressure was increased and the calculation of figure of merit(F.O.M) was dependent on the sheet resistance. The structural characteristics of AZO thin films analyzed by X-ray diffraction(XRD) showed no significant dependency according to the pressure.
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Santana-Aranda, M. A. / 2007 / Aluminum doped ZnO by reactive sputtering of coaxial Zn and Al metallic targets / J. Mater. Sci 18(6):611~614
Yang, Y. / 2010 / Deposition of quasi-crystal Al-doped ZnO thin films for photovoltaic device applications / Appl. surf. Sci 257(1):232~238
Hegedus, S. S. / 2003 / Handbook of photovoltaic science and engineering / Wiley :1~43
Lee, D. N. / 1989 / A model for development of orientation of vapour deposits / J. Mater. Sci 24(12):4375~4378
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