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RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 의해 Ga-doped ZnO 박막이 O2 및 Ar 분위기 하에서 증착 조건에 따라 합성되었으며, N2 분위기에서, 600℃에서 급속열처리 (RTA)를 실시하였다. 증착된 ZnO:Ga 박막에 대해 두께를 측정하였고, XRD 패턴 분석에 의해 결정상을 조사하였으며, FE-SEM, AFM 이미지에 의해 박막의 미세구조를 관찰하였다. O2 및 Ar 분위기 기체 종류별로 형성된 박막들의 증착 조건에 따라 X-선 회절 패턴의 (002)면의 세기는 상당한 차이를 나타냈다. O2 조건에서는 Ga doping이 이루어진 단일 박막의 경우에서는 강한 세기의 회절피크가 관찰되었다. O2 및 Ar 조건 에서는 Ga doping이 이루어진 다층박막의 경우에서는 다소 약한 세기의 (002) 면의 피크만을 나타내었다. FE-SEM image에서는 박막의 표면 입자의 크기는 두께가 증가함에 따라 입자크기가 다소 증가하는 것으로 관찰되었다. O2 및 Ar 분위기 조건 하에서, Ga doping이 이루어진 다층박막의 경우에서는, 비저항은 6.4×10-4 Ω·cm을 나타냈고, O2 분위기 조건하에서, Ga doping이 이루어진 단일 박막의 경우에서는 저항값이 감소하였고, Ga-doped ZnO 박막의 두께가 2μm로 증가하면서 저항이 감소하였으며, 1.0×10-3 Ω·cm의 비교적 낮은 비저항 값을 나타내었다.
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김정규 / 2017 / 기판 온도에 따른 ZnO:Ga 박막의 특성 / 전기전자재료학회논문지 30(12):794~799
조원준 / 2010 / 기판온도 및 박막두께가Ga-doped ZnO 박막의 특성에 미치는 영향 / 전자공학회논문지 - SD 47(1):6~13
P. Marwoto / 2016 / Effects of argon pressure on the properties of ZnO : Ga thin films deposited by DC magnetron sputtering / AIP Conference Proceedings 1719:030016
김형민 / 2012 / Ga의 도핑농도에 따른 ZnO 박막의 특성 / 전기전자재료학회논문지 25(12):984~989
정성진 / 2012 / RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제작된 Ga-doped ZnO 박막의 공정압력에 따른 전기적, 광학적 특성 / Applied Science and Convergence Technology 21(1):17~21
조원준 / 2010 / 기판온도 및 박막두께가Ga-doped ZnO 박막의 특성에 미치는 영향 / 전자공학회논문지 - SD 47(1):6~13
P. Marwoto / 2016 / Effects of argon pressure on the properties of ZnO : Ga thin films deposited by DC magnetron sputtering / AIP Conference Proceedings 1719:030016
김형민 / 2012 / Ga의 도핑농도에 따른 ZnO 박막의 특성 / 전기전자재료학회논문지 25(12):984~989
정성진 / 2012 / RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제작된 Ga-doped ZnO 박막의 공정압력에 따른 전기적, 광학적 특성 / Applied Science and Convergence Technology 21(1):17~21
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