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저자정보
서보석 (인하대학교) 서영교 (인하대학교)
저널정보
한국정보기술학회 Proceedings of KIIT Conference 한국정보기술학회 2024년도 하계종합학술대회 및 대학생논문경진대회
발행연도
2024.5
수록면
824 - 828 (5page)

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본 논문에서는 Radiation-hardened SRAM cell 중에서도 고집적 공정에서 범용성이 높은 Quatro와 We-Quatro를 시뮬레이션을 통해 각 SRAM cell의 Read and Write Stability를 비교한다. 읽기 정적 잡음 여유(SNM)와 읽기 엑세스 안정성을 비교한다. 쓰기 안정성은 Quatro가 we-Quatro에 비해 많이 떨어지는 확인할 수 있고 읽기 엑세스 안정성 또한 we-Quatro에 비해 좋지 않은 것을 확인할 수 있다. 반면 읽기 SNM에서는 Quatro가 we-Quatro보다 더 좋은 것을 확인할 수 있다.
#radiation-hardened SRAM cell #soft error #write stability #read access stability #read SNM #SEU

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 쓰기 안정성
Ⅲ. 읽기 안정성 비교
Ⅳ. 결론
참고문헌

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