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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김태훈 (Kyungpook National University) 정연배 (Kyungpook National University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제23권 제3호
발행연도
2019.9
수록면
954 - 961 (8page)

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본 논문에서는 트랜지스터의 문턱전압 보다 낮은 초저전압 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있는 8T SRAM에 대해 기술하였다. 제안한 메모리 셀은 대칭적인 8개의 트랜지스터로 구성되며, 셀 내부의 데이터 저장 래치는 열 방향의 보조라인을 통해 제어된다. 읽기동작 시, 데이터 저장노드와 비트라인이 동적으로 분리되어 비트라인으로부터 교란을 받지 않는다. 또한, 노이즈에 민감한 ‘0’-노드 전압상승이 낮아 dummy-read 안정도가 높다. 아울러, 제안한 셀은 쓰기능력을 높이기 위해 boosting 전압을 사용한다. 상용화된 8T SRAM 셀과 비교했을 때, 제안한 셀의 dummy-read 마진과 쓰기마진이 0.4 V 전원전압에서 각각 65%, 3.7배 향상된 안정성을 보이며, 공정변화에 따른 안정도의 내성이 더 우수하다. 활용 예시를 위해 산업체에서 제공하는 180 nm CMOS 공정으로 SRAM 회로를 설계하여 그 동작 및 성능을 검증하였다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안하는 문턱전압 이하 8T 메모리 셀
Ⅲ. 메모리 셀 성능비교
Ⅳ. 문턱전압 이하 SRAM 설계
Ⅴ. 결론
References

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