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학술저널
저자정보
정학기 (군산대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제23권 제2호
발행연도
2022.4
수록면
193 - 199 (7page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-022-00382-z

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An analytical subthreshold swing model of a junctionless cylindrical surrounding (JLCSG) MOSFET is presented using the potential distribution obtained by the Poisson equation and the definition of the SS. The SS is analyzed when the stacked high-k dielectrics changes to SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2 /ZrO2, La2O3, and TiO2 , using this analytical SS model. As a result, the higher the dielectric constant of the stacked high-k dielectric, the smaller the SS. Also the larger the silicon radius and the thickness of the stacked dielectric, and the smaller the work function of the gate metal, the greater the degree of reduction of the SS. When the stacked high-k dielectric is replaced from SiO2 to TiO2 , it could be reduced up to 95 mV/dec under the channel length of 20 nm, the silicon radius of 10 nm, and the work function of gate metal of 4.5 eV.

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