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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 270 - 273 (4page)
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We demonstrate an enhancement-mode β-Ga₂O₃ MOSFET with a ferroelectric α-In₂Se₃ hetero-gate structure. Applying a positive voltage pulse to the gate induces a positive VTH shift of 4.6 V; hence, the device can be switched from depletion (D-) to enhancement (E-) mode. The E-mode MOSFET achieved VTH of 1 V and subthreshold slope (SS) of 84 mV/dec in the linear regime. The stacked α-In₂Se₃ semiconductor forms a high-quality interface with β-Ga₂O₃. Moreover, the VTH can be modulated by applying back-gate bias, and the electrical performance can be enhanced via dual-gate operation. The demonstrated E-mode hetero-gate β-Ga₂O₃ MOSFET with steep SS and negligible hysteresis can be promising β-Ga₂O₃-based switching devices.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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