이중게이트 구조의 Junctionless FET 의 성능 개선에 대한 연구

조일환; 서동선

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자료유형: 학술저널

저자정보: 조일환 서동선

저널정보: 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제19권 제4호

발행연도: 2015.12

수록면: 514 - 519 (6page)

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본 논문에서는 이중 게이트 junctionless MOSFET 의 성능 최적화를 위하여 다중 게이트 형태를 적용하여 평가한다. 금속 게이트들 사이의 일함수가 서로 다르므로 다중 게이트 구조를 적용할 경우 금속게이트 길이에 따라 소스와 드레인 주변의 전위를 조절할 수 있다. 동작 전류와 누설 전류 그리고 동작 전압은 게이트 구조에 의해 조절이 가능하며 이로 인한 동작 특성 최적화가 가능하다. 본 연구에서는 반도체 소자 시뮬레이션을 통하여 junctionless MOSFET 의 최적화를 구현하고 분석하는 연구를 수행 한다.

#device optimization #junctionless field effect transistor #multiple gate #subthreshold swing #threshold voltage

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[학술지(정기간행물)] - T. Park / 2011 / Characteristics of body-tied triple-gate pMOSFETs / IEEE Electron Dev. Lett 25 : 798 ~ 800

[학술지(정기간행물)] - C.-W.Lee / 2009 / Junctionless multigate field-effect transistor / Appl. Phys. Lett 94 : 053511 ~ 053512

[학술지(정기간행물)] - J. Rahul / 2014 / Effects of metal gate electrode and HfO2 in junctionless vertical double gate MOSFET / Intl. Journal of Sci. Eng. And Tech 3 : 671 ~ 674

[학술지(정기간행물)] - E. Gnani / 2011 / Theory of the junctionless nanowire FET / IEEE Electron Dev. Lett 58 : 2903 ~ 2910

[학술지(정기간행물)] - Meile Wu / 2013 / The Optimal Design of Junctionless Transistors with Double-Gate Structure for reducing the Effect of Band-to-Band Tunneling / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 13 (3) : 245 ~ 251

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