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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.23 No.1
- 발행연도
- 2023.2
- 수록면
- 50 - 55 (6page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2023.23.1.50
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In plasma etching process at LSI mass-production line, the particles cause the decrease in the production yield and the overall equipment effectiveness (OEE). In this study, the particles, which originate from etching reaction product, are investigated under the condition that a gas shower type electrode made from the developed MgO-based ceramics is used and a Si wafer is etched by using SF<SUB>6</SUB> gas. We have demonstrated that plasma impedance monitoring method can monitor the tendency of particle generation caused by the flaking off of the film deposited on chamber inner walls. This non-invasive measurement method can be easily applied to the process equipment at mass-production line therefore the results can contribute to improvement of the production yield and the OEE.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL METHODS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (16)
참고문헌 신청
N. Ito, T. Moriya, F. Uesugi, M. Matsumoto, S. Liu, and Y. Kitayama, “Reduction of Particle Contamination in Plasma-Etching Equipment by Dehydration of Chamber Wall,” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 47, No. 5, pp. 3630-3634, May. 2008.
F. Uesugi, N. Ito, T. Moriya, H. Doi, S. Sakamoto, and Y. Hayashi, “Real-time monitoring of scattered laser light by a single particle of several ten of nanometers in the etching chamber in relation to its status with the equipment,” J. Vac. Sci. Technol.
T. Moriya, N. Ito, and F. Uesugi, “Capture of flaked particles during plasma etching by a negatively biased electrode,” J. Vac. Sci. Technol. B Vol. 22, No. 5, pp. 2359-2363, Jul. 2004.
H.-S. Jun, “Diffusive Plasma Dechucking Method for Wafers to Reduce Falling Dust Particles,” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 52, No. 6R, pp. 066203-1-066203-5, Jun. 2013.
G. Lapenta and J. U. Brackbill, “Simulation of dust particle dynamics for electrode design in plasma discharges,” Plasma Sources Sci. Technol. Vol. 6, No. 1, pp. 61-69, Feb. 1997.
F. Uesugi, N. Ito, T. Moriya, H. Doi, S. Sakamoto, and Y. Hayashi, “Real-time monitoring of scattered laser light by a single particle of several ten of nanometers in the etching chamber in relation to its status with the equipment,” J. Vac. Sci. Technol.
T. Moriya, N. Ito, and F. Uesugi, “Capture of flaked particles during plasma etching by a negatively biased electrode,” J. Vac. Sci. Technol. B Vol. 22, No. 5, pp. 2359-2363, Jul. 2004.
H.-S. Jun, “Diffusive Plasma Dechucking Method for Wafers to Reduce Falling Dust Particles,” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 52, No. 6R, pp. 066203-1-066203-5, Jun. 2013.
G. Lapenta and J. U. Brackbill, “Simulation of dust particle dynamics for electrode design in plasma discharges,” Plasma Sources Sci. Technol. Vol. 6, No. 1, pp. 61-69, Feb. 1997.
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