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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제16권 제2호
발행연도
2015.1
수록면
90 - 94 (5page)

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In this study, the characterizations of oxide contact hole etching are investigated with C4F8/O2/Ar and CH2F2/C4F8/O2/Ar plasma. As the percent composition of C4F8 in a C4F8/O2/Ar mixture increases, the amount of polymer deposited onthe etched surface also increases because the CxFy polymer layer retards the reaction of oxygen atoms with PR. AddingCH2F2 into the C4F8/O2/Ar plasma increases the etch rate of the oxide and the selectivity of oxide to PR. The profileof contact holes was close to 90o, and no visible residue was seen in the SEM image at a C4F8/(C4F8+O2) ratio of 58%. The changes of chemical composition in the chamber were analyzed using optical emission spectroscopy, and thechemical reaction on the etched surface was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy.
#Contact hole etching #C4F8/O2/Ar plasma #High density plasma #XPS

목차

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C. F. Carlstro?m / 2006 / Cl[sub 2]?O[sub 2]-inductively coupled plasma etching of deep hole-type photonic crystals in InP / Journal of Vacuum Science & Technology B: Mic google schola D. H. Lee / 2004 / / Proc. of the 5th International Conference on Microelectronics and Interfaces : 177 ~ google schola D. R. Lide / 1998 / CRC Handbook of Chemistry and Physics / CRC Press LLC : 10-1 ~ 10-146 google schola Gwan-Ha Kim / 2004 / (Pb,Sr)TiO3 thin films etching characteristics using inductively coupled plasma / Thin Solid Films 447-448 : 688 ~ 692 google schola K. H. R. Kirmse / 1996 / SiO2 to Si selectivity mechanisms in high density fluorocarbon plasma etching / Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Na google schola

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