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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.12
- 수록면
- 19 - 27 (9page)
- DOI
- 10.5207/JIEIE.2023.37.6.019
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In this study, we fabricated small-hole (SH: 0.5㎜ diameter) and very large-hole (3㎜ diameter) masks to etch perovskite semiconductor materials composed of organic and inorganic components into a concave shape. To ensure that the mask remained fixed on the sample during etching, magnets were placed on the back of the glass during the experiment. Subsequently, argon and hydrogen were supplied to the high-pressure plasma equipment to generate hydrogen plasma, and the shape of the perovskite semiconductor material was examined by varying the etching time from 1 s to 20min. The etched pattern showed various morphological changes over time, from the center of the mask toward the edges. In the sample where the etching process was performed for 20min, the semiconductor material remaining in the central area consisted of carbon and lead. For complete removal, the etching time should be longer than 20min or additional gas that can remove lead should be supplied to hydrogen-based atmospheric pressure plasma.
목차
Abstract
1. 서론
2. 결과 및 고찰
3. 결론
References
참고문헌 (12)
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A. N. Thiessen, et al., “Silicon nanoparticles: Are they crystalline from the core to the surface?,” Chemistry of Materials, vol. 31, no. 3, pp. 678-688, 2019.
G. Signorello, et al, “Inducing a direct-to-pseudodirect bandgap transition in wurtzite GaAs nanowires with uniaxial stress,” Nature Communications, vol. 5, p. 3655, 2014.
Z. Wu, et al., “Development of InP quantum dot-based light-emitting diodes,” ACS Energy Letters, vol. 5, no. 4, pp. 1095-1106, 2020.
S. Paek, J. K. Lee, and J. Ko, “Synthesis and photovoltaic characteristics of push–pull organic semiconductors containing an electron-rich dithienosilole bridge for solution-processed small-molecule organic solar cells,” Solar Energy Materials and Solar C
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