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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.2
- 수록면
- 43 - 48 (6page)
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Aluminum nitride (AlN) is used by the semiconductor industry, and is a compound that is required when manufacturing high thermal conductivity. The AlN films with c-axis orientation and thermal conductivity characteristic were deposited by using the Pulsed Laser Deposition (PLD). The AlN thin films were characterized by changing the deposition conditions. In particular, we have researched the AlN thin film deposited under optimal conditions for growth atmosphere. The epitaxial AlN films were grown on sapphire (c-Al₂O₃) single crystals by PLD with AlN target. The AlN films were deposited at a fixed temperature of 650 °C, while conditions of nitrogen (N₂) pressure were varied between 0.1 mTorr and 10 mTorr. The quality of the AlN films was found to depend strongly on the N₂ partial pressure that was exerted during deposition. The Xray diffraction studies revealed that the integrated intensity of the AlN (002) peak increases as a function the corresponding Full width at half maximum (FWHM) values decreases with lowering of the nitrogen partial pressure. We found that highly c-axis orientated AlN films can be deposited at a substrate temperature of 650 °C and a base pressure of 2×10<SUP>-7</SUP> Torr in the N₂ partial pressure of 0.1 mTorr. Also, it is noted that as the N₂ partial pressure decreased, the thermal conductivity increased.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 토의
4. 결론
REFERENCES
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
A. Fathimulla, Amir A. Lakhani, 1983, Reactively rf magnetron sputtered AlN films as a gate dielectric, J. Appl. Phys. Vol. 54, No. 8, pp. 4586~4589.
D. Y. Wang, Y. Nagahata, M. Masuda and Y. Hayashi, 1996, Effect of nonstoichiometry upon optical properties of radio frequency sputtered Al-N thin films formed at various sputtering pressures, J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 14, No. 6, pp. 3092~3099.
A. Mahmood, N. Rakov, M. Xiao, 2003, Influence of deposition conditions on optical properties of aluminum nitride (AlN) thin films prepared by DCreactive magnetron sputtering, Materials Letters, Vol. 57, No. 13~14, pp. 1925~1933.
H. Itoh, M. Kato, K. Sugiyama, 1987, Plasmaenhanced chemical vapour deposition of AlN coatings on graphite substrates, Thin Solid Films, Vol. 146, No. 3, pp. 255~264.
R. D. Vispute, J. Narayan, H. Wu, K. Jagannadham, 1995, Epitaxial growth of AIN thin films on silicon (111) substrates by pulsed laser deposition, J. Appl. Phys., Vol. 77, No. 9, pp. 4724~472.
D. Y. Wang, Y. Nagahata, M. Masuda and Y. Hayashi, 1996, Effect of nonstoichiometry upon optical properties of radio frequency sputtered Al-N thin films formed at various sputtering pressures, J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 14, No. 6, pp. 3092~3099.
A. Mahmood, N. Rakov, M. Xiao, 2003, Influence of deposition conditions on optical properties of aluminum nitride (AlN) thin films prepared by DCreactive magnetron sputtering, Materials Letters, Vol. 57, No. 13~14, pp. 1925~1933.
H. Itoh, M. Kato, K. Sugiyama, 1987, Plasmaenhanced chemical vapour deposition of AlN coatings on graphite substrates, Thin Solid Films, Vol. 146, No. 3, pp. 255~264.
R. D. Vispute, J. Narayan, H. Wu, K. Jagannadham, 1995, Epitaxial growth of AIN thin films on silicon (111) substrates by pulsed laser deposition, J. Appl. Phys., Vol. 77, No. 9, pp. 4724~472.
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