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학술저널
저자정보
주영준 (경상대학교) 김정운 (경상대학교) 심광보 (한양대학교) 김철진 (경상대학교)
저널정보
한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제19권 제4호
발행연도
2018.8
수록면
342 - 346 (5page)

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Aluminum nitride (AlN) thin film has been synthesized by the direct nitridization of aluminum with heated NH3 gas. Theinfrared heating with focusing capability was adopted as a heat source and the reaction zone was constantly translated bycontrolling the sample stage. The metallic Al layer was deposited on the amorphous fused silica glass substrate using a thermalevaporation system at 3.0 × 10?6 Torr and the temperature profile of the reaction zone could be arbitrary chosen by varyingthe focal length of the IR reflector in the range of 600 ~ 800 oC. The polycrystalline AlN thin film was obtained with <100 nmthickness in a single step and the thickness of the AlN layer could be increased by the iterated steps. The morphology and thecrystalline quality of the AlN thin film have been characterized by the XRD, SEM, and EDS analyses.

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