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저자정보
김광훈 (Woongjin Energy) 박상현 (한국과학기술원) 박재창 (Woongjin Energy) Ilsun Pang (Woongjin Energy) Sangwoo Ryu (Korea Advanced Institute of Science and Thchnology) 오지훈 (한국과학기술원)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.14 No.4
발행연도
2018.1
수록면
461 - 466 (6page)

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Reducing the manufacturing costs of silicon substrates is an important issue in the silicon-based solar cell industry. In thisstudy, we developed a high-throughput ingot growth method by accelerating the pulling speed in the Czochralski process. Bycontrolling the heat flow of the ingot growth chamber and at the solid-liquid interfaces, the pulling speed of an ingot couldbe increased by ~ 15% compared to the conventional method, while retaining high quality. The wafer obtained at a high pullingspeed showed an enhanced minority carrier lifetime compared with conventional wafers, due to the vacancy passivationeffect, and also demonstrated comparable bulk resistivity and impurities. The results in this work are expected to open a newway to enhance the productivity of Si wafers used for Si solar cells, and therefore, to reduce the overall manufacturing cost.

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