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학술저널
저자정보
전혜준 (영남대학교) 박주홍 (폴텍) 블라디미르 아르테미예프 (STR) 정재학 (영남대학교)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research Vol.8 No.1
발행연도
2020.3
수록면
17 - 26 (10page)

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It is clear that monocrystalline Silicon (Si) ingots are the key raw material for semiconductors devices. In the present industries markets, most of monocrystalline Silicon (Si) ingots are made by Czochralski Process due to their advantages with low production cost and the big crystal diameters in comparison with other manufacturing process such as Float-Zone technique. However, the disadvantage of Czochralski Process is the presence of impurities such as oxygen or carbon from the quartz and graphite crucible which later will resulted in defects and then lowering the efficiency of Si wafer. The heat transfer plays an important role in the formation of Si ingots. However, the heat transfer generates convection in Si molten state which induces the defects in Si crystal. In this study, a crystal growth simulation software was used to optimize the Si crystal growth process. The furnace and system design were modified. The results showed the melt-crystal interface shape can affect the Si crystal growth rate and defect points. In this study, the defect points and desired interface shape were controlled by specific crystal growth rate condition.
#Melt-Crystal Interface shape,Crystal Growth rate #Defect point #Crystal Growth Simulation #Silicon Ingot #Czochralski process

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 수학적 모델링 & 이론
3. Melt - Crystal interface
4. Improve of the czochralski process by Crystal Growth - Simulation
5. Result and discussion
6. Conclusion
References

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
Fraunhofer ise: Photovoltaics report google schola Dornberger, E. / 1996 / Silicon materials science and technology / J. Electrochem. Soc 143:1636 google schola Kulkarni, M. S. / 2005 / The agglomeration dynamics of self-interstitials in growing czochralski silicon crystals / J. Cryst. Growth 284(3):35~368 google schola Vorob’ev, A. / 2014 / Advanced chemical model for analysis of cz and ds si-crystal growth / J. Cryst. Growth 386:226~234 google schola Kalaev, V. V. / 2000 / Numerical modeling of czochralski silicon crystal growth / ECCOMAS 1 google schola

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