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이진규 (서울대학교) 이수연 (서울대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2021년도 대한전기학회 전기물성∙응용부문회 추계학술대회 논문집
발행연도
2021.10
수록면
88 - 89 (2page)

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하단 게이트 비정질 IGZO 박막 트랜지스터 구조 상부에 PECVD SiO₂를 증착하고, N₂O/SiH₄ 유량비와 RF 파워가 IGZO 박막 트랜지스터에 미치는 영향을 분석하였다. N₂O/SiH₄ 유량비가 증가할수록 전기적 특성 변화가 줄어들었는데, 이는 IGZO 박막 내 줄어든 O-H 결합인 것으로 추측된다. 한편, 동일한 N₂O/SiH₄ 유량비에서 ... 전체 초록 보기

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