게이트 전극 물질이 a-IGZO 박막트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 영향

오현곤; 조경아; 김상식

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오현곤 (Korea University) 조경아 (Korea University) 김상식 (Korea University)

저널정보: 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제21권 제2호

발행연도: 2017.6

수록면: 170 - 173 (4page)

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본 연구에서는 Al, Mo 및 Pt 금속 물질을 a-IGZO 박막트랜지스터의 게이트 전극으로 플라스틱 기판 위에 형성하여 제작하고, 게이트 물질에 따른 전기적 특성을 측정하였다. Al 게이트 전극에 비해 Pt 게이트 전극을 사용한 박막트랜지스터의 문턱전압은 –4.1V에서 -0.3 V까지 감소하였고, 전하이동도는 15.8 cm²/V · s에서 22.1 cm²/V · s 로 향상되었다. 게이트 전극에 따른 박막트랜지스터의 문턱전압 이동은 전극의 일함수와 채널층의 페르미 에너지 차이로 인한 영향이라는 것을 확인 할 수 있었다. 또한, 채널 물질의 페르미 에너지를 고려하였을 경우에 Pt 게이트 전극이 박막트랜지스터의 전기적 특성 면에서 적합한 물질로 확인되었다. 추가적으로 Mo 게이트 전극을 사용한 박막트랜지스터에 대한 특성도 본 논문에서 다룬다.

#a-IGZO #TFT #gate electrode material #work function #threshold voltage

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[학술지(정기간행물)] - J. C. Park / 2013 / Self-Aligned Top-Gate Amorphous Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors Exceeding Low –Temperature Poly-Si Transistor / ACS. Appl. Mater. Interfaces 5 : 6990 ~

[학술지(정기간행물)] - Jae Sang Lee / 2010 / High-Performance a-IGZO TFT With ZrO2 Gate Dielectric Fabricated at Room Temperature / IEEE Electron Device Letters 31 (3) : 225 ~ 227

[학술지(정기간행물)] - Jun Yong Bak / 2012 / Effect of In-Ga-Zn-O active layer channel composition on process temperature for flexible oxide thin-film transistors / Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 30 (4) : 041208 ~

[학술지(정기간행물)] - Sang Ho Rha / 2012 / Performance Variation According to Device Structure and the Source/Drain Metal Electrode of a-IGZO TFTs / IEEE Transactions on Electron Devices 59 (12) : 3357 ~ 3363

[학술지(정기간행물)] - J. Jeong / 2012 / Electrical characterization of a-InGaZnO thin-film transistors with Cu source/drain electrodes / Appl. Phys. Lett 100 : 112109 ~

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