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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제1호
발행연도
2016.1
수록면
11 - 16 (6page)

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본 논문에서는, 급속 열처리 (rapid thermal annealing, RTA)에 따라서 a-IGZO 박막 내의 전자 농도의 변화 및 전도도 거동에 미치는 영향에 대해 연구하였다. a-IGZO 박막 트랜지스터의 전기적 특성은 RTA 열처리 온도에 따라 측정되었다. A-IGZO 막의 면 저항, 전자 농도 그리고 산소 농도는 4 포인트 프로브, 홀 횰과 측정, 그리고 XPS 분석을 통해 측정되었다. 그 결과, RTA는 a-IGZO의 구동전류를 증가시켰으나, 동시에 문턱전압을 감소시켰다. RTA 온도가 250℃ 이상일 때, 오프-상태의 누설 전류는 상당히 증가하였으며, 스위칭 동작에 어려움을 보였다. 이것은 a-IGZO 박막 내에 산소 공공이 증가하였고, 그 결과 전자 농도를 증가시켰기 때문이다. 우리는 RTA는 짧은 공정 시간으로 a-IGZO 막의 전도성 및 전자 농도를 쉽게 조절할 수 있기 때문에 RTA가 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 조절할 수 있는 유망한 공정임을 입증하였다.
#IGZO #RTA #Carrier concentration #Oxygen vacancy #Conductivity

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K. Nomura / 2004 / Nature 432:488 Crossref P. G. Carey / 2000 / J. Vac. Sci. Technol. A 17:1946 Crossref C. D. Dimitrakopoulos / 2002 / Adv. Mater 14:99 Crossref S. W. Lee / 2012 / J. Korean Phys. Soc 60:L1317 Crossref J. M. Larson / 2006 / IEEE Trans. Electron Dev 53:1048 Crossref

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