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이병헌 (고려대학교) 김대환 (중앙대학교) 이두용 (부산대학교) 박성균 (부산대학교) 김상식 (고려대학교) 권혁인 (중앙대학교) 이상렬 (가천대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제2호
발행연도
2021.1
수록면
133 - 139 (7page)

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The change of the electrical properties of amorphous SiInZnO thin-fi lm transistors (SIZO TFTs) depending on Si concentration have been investigated. As the Si content increased from 1 to 3 wt%, the electrical properties are systematically degraded, such as fi eld-effect mobility from 19.86 to 11.16 cm 2 V ?1 s ?1 . This change in properties has been found to deteriorate the SIZO network when Si content is highly added. In order to analyze the change of the electrical properties of SIZO depending on Si concentration, low frequency noise method and X-ray photoelectron spectroscopy analysis are adopted to investigate trap states in energy bandgap and oxygen vacancies of SIZO system. As a result, it was found that doping with a large amount of Si destabilizes the SIZO network, resulting in degrading electrical properties.

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