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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
남형진 (선문대학교 전자공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제6권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
5 - 9 (5page)

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Phase transition and dopant redistribution during silicidation of $CoSi_2$ thin films were characterized depending on their preparation methods. Our results indicated that cleanness of the substrate surface played an important role in the formation of the final phase. This effect was found to be reduced by addition of W resulting in the formation of $CoSi_2$. However, even in this case, the formation of the final phase was achieved at the cost of extra thermal energy, which induced rough interface between the substrate and the silicide film. As for the dopant redistribution, the deposition sequence of Co and Si on SiGe was observed to induce significant differences in the dopant profiles. It was found that co-deposition of Co and Si resulted in the least redistribution of dopants thus maintaining the original dopant profile.
#$CoSi_2$ #SiGe #foreign atom #silicide formation

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