Focused Ion Beam을 이용한 EUVL Mask Defect Isolation 및 Repair

김석구; 백운규; 박재근

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김석구 (한양대학교 나노 SOI 공정 연구실) 백운규 (한양대학교 세라믹공학과) 박재근 (한양대학교 나노 SOI 공정 연구실)

저널정보: 한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제3권 제2호

발행연도: 2004.1

수록면: 5 - 9 (5page)

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Microcircuit fabrication requires precise control of impurities in tiny regions of the silicon. These regions must be interconnected to create components and VLSI circuits. The patterns to define such regions are created by lithographic processes. In order to image features smaller than 70 nm, it is necessary to employ non-optical technology (or next generation lithography: NGL). One such NGL is extreme ultra-violet lithography (EUVL). EUVL transmits the pattern on the wafer surface after reflecting ultra-violet through mask pattern. If particles exist on the blank mask, it can't transmit the accurate pattern on the wafer and decrease the reflectivity. It is important to care the blank mask. We removed the particles on the wafer using focused ion beam (FIB). During removal, FIB beam caused damage the multi layer mask and it decreased the reflectivity. The relationship between particle removal and reflectivity is examined: i) transmission electron microscope (TEM) observation after particle removal, ii) reflectivity simulation. It is found that the image mode of FIB is more effective for particle removal than spot and bar mode.

#EUVL #Blank Mask #FIB #TEM

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